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2026年电子技术微电子技术试题及答案

一、选择题（40分）

1.在半导体中，载流子的主要来源是：

A.价带电子

B.导带电子

C.价带空穴

D.导带电子和价带空穴

2.PN结的正向偏置是指：

A.P区接电源正极，N区接电源负极

B.P区接电源负极，N区接电源正极

C.P区和N区都接电源正极

D.P区和N区都接电源负极

3.双极型晶体管（BJT）中，电流放大系数β的定义是：

A.集电极电流与基极电流的比值

B.发射极电流与基极电流的比值

C.集电极电流与发射极电流的比值

D.基极电流与发射极电流的比值

4.MOSFET中，当栅源电压Vgs大于阈值电压Vth时，MOSFET处于：

A.截止区

B.线性区

C.饱和区

D.击穿区

5.CMOS电路的主要优点是：

A.高速度

B.低功耗

C.高集成度

D.高驱动能力

6.在集成电路制造中，光刻技术的主要作用是：

A.形成电路图形

B.掺杂半导体

C.氧化硅层

D.金属沉积

7.TTL电路与CMOS电路相比，其主要缺点是：

A.速度慢

B.功耗大

C.抗干扰能力差

D.驱动能力弱

8.在数字电路中，施密