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分子束外延生长速率试验规范

1.适用范围

本规范适用于各类III-V族、II-VI族半导体薄膜、超晶格、量子阱结构及二维材料的分子束外延（MolecularBeamEpitaxy,MBE）生长速率测定试验，涵盖射频等离子体辅助MBE、固态源MBE、气态源MBE等主流设备类型。本规范不适用于超高真空环境低于1×10^-9Torr条件下的特殊极端生长场景，相关特殊场景可参考本规范核心流程进行适应性调整。试验开展前需确认设备真空度、源炉温控精度、衬底加热系统稳定性均满足试验最低要求，避免因设备基础条件偏差导致生长速率测定结果失真。

2.规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T32564.1-2016微束分析电子背散射衍射第1部分：通则

SJ/T11494-2015砷化镓分子束外延单晶薄膜规范

ISO14644-1洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

SEMIMF2061-11测试半导体薄膜厚度的椭偏仪标准测试方法

GJB2438A-2002微波毫米波器件用外延片规范

3.术语和定义

3.1分子束外延生长速率

单位时间内外延材料在衬底表面沉积的厚度，常用单位为?/s（埃每秒）或ML/s（单分子层每秒）