C掺杂g-C3N4光催化材料的制备与表征.docx

PAGE6

PAGE6

题目：C掺杂g-C3N4光催化材料的制备与表征

摘要：半导体光催化技术是近几十年来的研究热点，在降解环境污染、空气净化、光解水产氢产氧以及有机合成等方面都展现出非凡的优势。然而g-C3N4和大多数光催化材料一样都存在着一些不足，研究人员发现g-C3N4光吸收较弱、光量子利用效率低等不足影响了g-C3N4的性能。因而需要寻找新的办法对g-C3N4改性是本文探讨的重要内容。在本文中，我们主要以g-C3N4为研究分析对象，采用C掺杂对g-C3N4光催化材料的性能进行改性，利用超分子共聚法反应得到C掺杂g-C3N4，并且对g-C3N4和C-g-C3