纳米制造——关键控制特性 第12-3部分：二维材料相关产品——二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度：温度相关电流-电压测量 标准立项发展报告.docxVIP

纳米制造——关键控制特性第12-3部分：二维材料相关产品——二维材料场效应晶体管的肖特基势垒高度：温度相关电流-电压测量标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Nanomanufacturing—KeycontrolcharacteristicsPart12-3:2Dmaterial-relatedproducts—Schottkybarrierheightsof2Dmaterialbasedfield-effecttransistors:temperature-dependentcurrent-voltagemeasurements

摘要

随着纳米制造技术的飞速发展，二维材料因其独特的电学、光学和机械性能，被视为后摩尔时代新一代半导体器件的重要候选材料。场效应晶体管作为二维材料最具前景的应用方向之一，其器件性能在很大程度上受限于金属-半导体接触界面处的肖特基势垒。准确测量和表征肖特基势垒高度，对于优化器件设计、提升载流子注入效率以及推动二维材料器件的工程化应用具有决定性意义。然而，目前针对二维材料场效应晶体管肖特基势垒高度的测试尚无统一的国际标准，导致各研究机构和企业之间数据难以横向比对，阻碍了技术的交流与产业化进程。本报告基于国际电工委员会（IEC）制定的技术规范PDIEC/TS