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半导体金属有机物化学气相沉积考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.半导体金属有机物化学气相沉积（MOCVD）的主要反应物状态是？

A.固态

B.液态

C.气态

2.MOCVD过程中，常用的前驱体金属有机化合物是？

A.铜有机物

B.铝有机物

C.锗有机物

3.MOCVD设备中，反应腔体的温度范围通常是？

A.100-200°C

B.200-500°C

C.500-1000°C

4.MOCVD过程中，常用的载气是？

A.氮气

B.氢气

C.氮气和氢气的混合气

5.MOCVD沉积薄膜时，常用的衬底材料是？

A.硅片

B.石英片

C.两者都是

6.MOCVD过程中，反应压力通常控制在？