2026第三代半导体衬底材料良率提升路径与成本曲线
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 4
一、第三代半导体衬底材料行业概览与良率提升战略意义 7
1.1GaN与SiC衬底材料技术特性与应用领域对比 7
1.22026年全球衬底产能分布与市场需求预测 10
1.3良率提升对产业链成本结构与市场竞争力的影响 12
二、衬底晶体生长技术路径与缺陷控制 18
2.14H-SiC单晶生长工艺优化(PVT法) 18
2.2GaN自支撑衬底生长技术(HVPE法) 22
2.3微管缺陷(Micropipe)的成因与消除技术 25
三
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