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- 2026-10-20 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118969771A
(43)申请公布日2024.11.15
(21)申请号202411450961.2
(22)申请日2024.10.17
(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司
地址230601安徽省合肥市经济技术开发
区空港工业园兴业大道388号
(72)发明人曹堪宇庄凌艺骆晓东
(51)Int.Cl.
H01L23/538(2006.01)
H01L21/768(2006.01)
权利要求书3页说明书11页附图9页
(54)发明名称
半导体结构及其制造方法
(57)摘要
本公开实施例提供了一种半导体结构,包
括:衬底
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