T∕CASAS 042-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 高温栅偏试验方法.docxVIP

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  • 2026-10-22 发布于河北
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T∕CASAS 042-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 高温栅偏试验方法.docx

ICS31.080.30CCSL44

团体标准

T/CASAS042—2025代替T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温栅偏试验方法

Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal

oxidesemiconductorfiledeffecttransistors(SiCMOSFET)

2025-12-30发布

2025-12-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟

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