原创力文档MCM511000A的逻辑组成5.3.3.2、DRAM主存设计1、确定存储芯片数量?M/m??N/n?＝?4M/1M??32位/1位?＝128片字位同时扩展，字扩展4倍，位扩展32倍2、确定芯片的连接4行：每行32片MCM511000A32列：每列4片MCM511000A-W、-CAS、A：并接-RAS：作字扩展（无片选）各行独立D、Q同列并接，不同列单独引出5.3.3.2、DRAM主存设计连接图5.3.3.2、DRAM主存设计3、负载计算与分配MOS存储芯片各端点为电容负载，由表5.10可知：地址端负载，数据输入端负载为5P
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