2026年大功率半导体项目融资计划书.pptxVIP

2026/05/222026年大功率半导体项目融资计划汇报人：xxx

CONTENTS目录01项目概述02市场分析03项目优势04融资需求05财务预测06风险评估

项目概述01

项目基本信息项目核心产品聚焦8英寸碳化硅（SiC）功率器件，对标英飞凌CoolSiC系列，计划2026年量产1200V/50AMOSFET芯片。研发团队背景核心团队由台积电前资深工程师李明领衔，团队成员平均拥有15年以上半导体行业经验，曾主导中芯国际14nm工艺研发。专利技术储备已申请核心专利28项，涵盖沟槽栅结构、外延生长工艺等关键领域，其中“高频低损耗SiC器件设计”专利获2025年中国专利奖优秀奖。

项目目标与愿景技术突破目标计划2026年实现8英寸碳化硅衬底量产，良率提升至90%以上，对标Wolfspeed现有技术水平，打破海外垄断。市场份额目标预计2028年国内新能源汽车功率半导体市场占有率达25%，年销售额突破50亿元，进入行业前三。产业链布局目标三年内建成从衬底到模块的垂直整合产线，联合宁德时代建立车规级功率器件联合实验室。

市场分析02

大功率半导体市场规模全球市场规模及增长趋势据SEMI数据，2025年全球大功率半导体市场规模达210亿美元，2022-2025年CAGR为12.3%，预计2026年将突破235亿美元。中国市场规模及增速2025年中国大功率半导体市场