650V 40A场沟槽IT技术手册.pdfVIP

表格

{

边框‑合并:

合并;

}

表格,

th,

td

{

边框:

1px

实线

#000;

}

FGH40T65UPD

650V,

40A

场截止沟槽

型IGBT

特性

•最高结温:

TJ

= 175°C∘

•正温度系数，便于并联操作

•高电流承载能力

•低饱和电压：VCE(sat)

= 1.65V(典型值)

@lC

= 40A

•高输入阻抗

•严格的参数分布

•符合RoHS

•短路鲁棒性

5us

@25℃

概述

采用创新的场截止沟槽IGBT技术，飞兆新一代场截止沟槽IGBT系列为能逆变器、不间断

电源、感应加热和数字电源发生器应用最优性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗至关重要。

应用领域

•能逆变器、不间断电源、感应加热、数字电源发生器

table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

FGH40T65UPD650V,40AFieldStop

TrenchIGBT

Features

∘

•umJu