T∕CASAS 061-2026 SiC MOSFET模块局部放电试验方法.docxVIP

ICS31.080.01CCS

ICS

31.080.01

CCS

L40

团 体 标 准

T/CASAS061—2026

SiCMOSFET功率模块局部放电试验方法

Partialdischargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor(SiCMOSFET)powermodule

2026-06-30发布 2026-06-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布

T/CASAS061—2026

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目 次

前言 III

引言 IV

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

原理 3

局部放电物理背景 3

局部放电测试原理 3

仪器设备 3

仪器设备的主要组成 3

方波脉冲发生装置 4

局部放电检出装置 4

耦合电容配合检测阻抗 5

高频电流传感器 5

天线耦合 6

信号检测与数据处理装置 6

样品 7

一般要求 7

样品制备步骤 7

外观检查与清洁 7

端子短接 7

等效封装模型的制备 7

样品安装与接地 7