半导体器件物理 课件 -第6章 三维新型器件.pptx

半导体器件物理

第六章三维新型器件

6.1多栅晶体管工作原理6.2FinFET与GAAFET6.3新型三维堆叠器件6.4新材料与新原理器件

6.1多栅晶体管工作原理6.1.1从平面到立体多栅器件6.1.2理想对称双栅MOS电容6.1.3理想双栅器件电流电压方程6.1.4非理想双栅器件工作特性6.1.5围栅器件工作原理

6.1多栅晶体管工作原理随着集成电路的特征尺寸不断微缩，传统的平面沟道型MOSFET受到短沟道及其它二级效应的影响难以保持正常的I-V特性。在22nm及更小的技术节点下，人们引入新结构的三维沟道型MOSFET，例如双栅或三栅鳍型场效应晶