原创力文档半导体器件物理
第七章射频器件
7.1射频二极管7.2GaAs和InPHEMT器件7.3GaN基HEMT器件7.4Si基LDMOSFET
7.1射频二极管7.1.1肖特基势垒二极管结构和工作原理7.1.2负阻二极管结构和工作原理
Si基射频半导体器件功率-频率特性较为均衡。GaAs和InP半导体器件工作频率很高，尤其InP器件，但是难以实现高功率输出。GaN基射频器件是通过高饱和电压来实现高的工作频率，其功率输出特性更为突出。95射频通常指300kHz~300GHz的无线电波传播频段，这一频段覆盖了传统定义中的高频、微波、毫米波、亚毫米波和
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