基于电-热-结构耦合分析的SiC MOSFET可靠性研究.pdfVIP

第25卷第8期电气技术Vol.25No.8

2024年8月ElectricalEngineeringAug.2024

基于电-热-结构耦合分析的SiCMOSFET

可靠性研究

黄天琪刘永前

（华北电力大学新能源学院，北京102206）

摘要作为应用前景广阔的功率器件，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的可

靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。

考虑器件电阻随温度变化的特性，构建电-热-结构耦合的有限元模型，针对健康状态及不同失效模

式进行温度和应力研究。结果表明，功率循环过程中键合线与芯片连接处受到的热应力最大，焊

料层与芯片接触面的边缘