IEC 63068-1：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分缺陷分类标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件——功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第1部分：缺陷分类标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part1:ClassificationofDefects

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高击穿电场强度、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异物理特性，已成为功率电子器件领域的关键基础材料。然而，SiC同质外延片中各类缺陷的存在严重影响功率器件的性能、可靠性和良率，缺陷的无损识别与科学分类是保障外延片质量的核心前提。国际电工委员会（IEC）于2019年正式发布了IEC63068-1:2019标准，该标准规定了功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷无损识别的分类准则，为全球SiC外延材料的生产、检测和贸易提供了统一的技术语言。本报告系统梳理了该标准的立项背景、编制历程、主要技术内容和实施意义，分析了标准在缺陷分类体系方面的科学性与实用性，并结合当前SiC功率器件产业快速发展态势，展望了该标准