华南理工大学《模拟电子技术》课件-第1章绪论.pptVIP

1.PN结正偏时的导电性1.3.1PN结的单向导电性PN结外加正向电压外电场加强了扩散运动、阻碍漂移运动，打破了平衡，空间电荷区变窄。扩散的多子增加，漂移过来的少子减少，产生载流子的差，从而在电路中形成电流。这个电流也叫扩散电流，由多数载流子产生，电流较大，故PN结呈现低阻状态。因此，正偏时PN结正向导通。1.PN结反偏时的导电性PN结外加反向电压外电场削弱了扩散运动、加强了漂移运动，打破了平衡，空间电荷区变宽。扩散的多子减少，漂移过来的少子增多，产生载流子的差，从而在电路中形成电流。这个电流也叫漂移电流，由少数载流子产生，电流较小，故PN结呈现高阻。因此，反偏时PN结反向截止。1.3.3PN结的电容效应势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。一般外加反向电压来控制PN结的厚度，相当离子薄层的厚度随外加电压而相应地改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似