模拟集成电路设计 课件 第2章 模拟集成电路器件.pptx

模拟集成电路设计

第二章模拟集成电路器件

一、引言二、MOS器件三、芯片制造的前后道工艺四、其他有源器件五、无源器件六、PVT变化及失配

一、引言现代集成电路设计基于场效应晶体管（FET），其核心原理是以输入端电场控制输出电流。FET分为结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET）两类：JFET利用反偏PN结耗尽层宽度变化控制沟道宽度，IGFET利用电场控制半导体表面沟道的形成与电导。IGFET（尤其MOSFET）能同时满足模拟与数字电路需求，应用更广。本章以MOSFET为重点，介绍其电学特性与器件模型，同时涵盖二极管、BJT、电阻、电容、电感的电学特性及片上结构，并讲解PVT变化与失配对电路设计