IEC 63229：2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告.docx

半导体器件·碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–ClassificationofDefectsinGalliumNitrideEpitaxialFilmonSiliconCarbideSubstrate

摘要

随着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅（SiC）衬底上氮化镓（GaN）外延材料在高频、高功率电子器件及射频器件领域展现出广阔的应用前景。然而，GaN外延膜中缺陷的种类、密度和分布直接影响器件性能与可靠