IEC 62373-1：2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分MOSFET的快速BTI试验标准立项发展报告.docxVIP

IEC62373-1:2020《半导体器件——金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验——第1部分：MOSFET的快速BTI试验》标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Bias-TemperatureStabilityTestforMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistors(MOSFET)–Part1:FastBTITestforMOSFET

摘要

随着半导体工艺节点持续向深亚微米及纳米尺度演进，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的可靠性问题日益突出，其中偏压温度不稳定性（BiasTemperatureInstability,BTI）已成为制约器件寿命与电路性能的关键退化机制。传统的BTI测试方法耗时较长，难以满足先进工艺快速评估与量产监控的需求。IEC62373-1:2020由国际电工委员会（IEC）于2020年7月正式发布，是IEC62373系列标准的重要组成部分，专门针对MOSFET快速BTI试验方法进行规范化。该标准系统规定了快速BTI试验的测试原理、测试设备要求、试验程序、数据处理方法及结果报告格式，为半导体行业提供了统一、可重复的快速BTI评估