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- 2026-10-29 发布于北京
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TAB与COF与COG制程差异比较
各封裝性質比較
项目TCPCOFCOG
基材种类PI膜(3层)PI膜(2层)-
基材厚度75um-125um25um-38um-
铜箔厚度18um8-9um-
封装完成厚度600um-1000um400um-700um200um
凸块接合间距45um30um30um
线路间距40um30um-
TAB与COF与COG制程差异比较
各封裝性質比較
项目TCPCOFCOG
基材种类PI膜(3层)PI膜(2层)-
基材厚度75um-125um25um-38um-
铜箔厚度18um8-9um-
封装完成厚度600um-1000um400um-700um200um
凸块接合间距45um30um30um
线路间距40um30um-
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