《场效应晶体管》PPT课件.pptVIP

01场效应晶体管02场效应管的特点03结型场效应管04绝缘栅场效应管05第四节

第四节场效应晶体管分类01绝缘栅场效应管02结型场效应管03场效应晶体管简称场效应管，用FET来表示（FieldEffectTransistor)。04

一、绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS管。MOS管按工作方式分类增强型MOS管耗尽型MOS管N沟道P沟道N沟道P沟道

1.结构（一)N沟道增强型MOS管的结构和工作原理NNb-衬底引线sgdP衬底bSiO2绝缘层g-栅极S-源极d-漏极N型区ggssddbb箭头方向是区别N沟道与P沟道的标志符号N沟道P沟道铝

2.工作原理（1)感生沟道的形成过程在电场的作用下,可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉,形成空间电荷区。当uGS增加到某一临界电压(UT)值时,吸引足够多的电子,在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—漏源之间的导电沟道。开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高,电场越强,感应的电子越多,沟道就越宽。uGSgb自由电子反型层耗尽区绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄,从而控制漏-源极间电流的大小。栅极和源极之间加正向电压耗尽区铝SiO2衬底P型硅gbuGS受主离子空穴

（2)栅源电压uGS对