IEC 63068-1：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分缺陷分类标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第1部分：缺陷分类标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part1:ClassificationofDefects

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高击穿电场强度、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异物理特性，已成为功率器件领域的关键衬底与外延材料。然而，SiC同质外延片中各类缺陷的存在严重影响功率器件的性能、可靠性和良率，缺陷的无损识别与科学分类因此成为产业链质量控制的核心环节。国际电工委员会（IEC）于2019年1月正式发布IEC63068-1:2019标准，这是全球首个针对功率器件用SiC同质外延片中缺陷无损识别与分类的国际标准，填补了该领域国际标准化的空白。该标准系统规定了SiC同质外延片中缺陷的术语定义、分类原则、缺陷类型及其特征描述方法，为材料供应商、器件制造商和检测机构提供了统一的技术语言和判定依据。本文系统梳理了该标准的立项背景、编制过程、主要技术内容和实