原创力文档*IGBT内部结构及常见失效模式主要内容一、IGBT的结构二、IGBT常见的失效模式三、QA一、IGBT的结构1.芯片结构和特征2.IGBT芯片结构的变迁平面型发展方向:平面型→沟槽型→软沟槽型垂直发展方向:穿透→非穿透→场终止图1.3IGBT芯片发展历程(ABB第1代)128”正温度系数软穿通最大结Tj=150°C(Infineon第3)T3”正温度系数场终止”最大结Tj=150°Cn+n-collectorGateEmitterTrench-IGBT
*IGBT内部结构及常见失效模式主要内容一、IGBT的结构二、IGBT常见的失效模式三、QA一、IGBT的结构1.芯片结构和特征2.IGBT芯片结构的变迁平面型发展方向:平面型→沟槽型→软沟槽型垂直发展方向:穿透→非穿透→场终止图1.3IGBT芯片发展历程(ABB第1代)128”正温度系数软穿通最大结Tj=150°C(Infineon第3)T3”正温度系数场终止”最大结Tj=150°Cn+n-collectorGateEmitterTrench-IGBT
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