氮化镓半导体封装技术.pdfVIP

[43]公开日2006年8月16日

[11]公开号CN1819259A

[22]申请日2005.12.26

[21]申请号200510134125.4

[30]优先权

[32]2005.1.10[33]US[31]11/032,666

[71]申请人士公司

地址新泽西

[72]发明人布赖恩·S.·谢尔顿

马莱克·K.·帕比兹

马克·戈特弗里格刘琳葡朱廷刚

伯里斯·佩雷斯

艾里克斯·D.·塞卢兹

[74]专利机构国际贸易促进专利商标

人

权利要求书3页说明书8页附图7页

[54]发明名称

氮化镓装置的封装

[57]

一种封装的装置，特别是氮化镓结构，包括：下层和位于所述下层

的一部分之上的上层。该结构包括从下层向上凸起的多个台，每个台包括上层的

一部分并限定上触点平面，该上触点表面与所述多个台被所述下触点表面的一部分分开。该装

置还包括模安装支撑物，其中，模的底部表面被附着于模安装支撑物的顶部表面；从支