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半导体晶圆抛光工岗位技能考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.化学机械抛光的英文缩写为______

2.晶圆抛光液中常用的磨料主要是______

3.晶圆表面粗糙度通常用______衡量

4.晶圆抛光前核心清洗步骤是______清洗

5.晶圆抛光时单位受力称为______

6.抛光垫常用材料为______类

7.晶圆抛光主要目的是去除表面______层

8.抛光时上转盘转速一般低于______转/分钟

9.晶圆抛光液PH值通常控制在______至10之间

10.抛光后晶圆常见微小缺陷是______

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.化学机械抛光的核心作用是？

A.仅机械研磨B.仅化学腐蚀C.机械与化学协同D.高温溶解

2.下列不属于晶圆抛光设备组成的是？

A.抛光机台B.抛光液供给系统C.光刻胶涂覆系统D.抛光垫修整器

3.抛光压力增大，抛光速率会？

A.线性增大B.线性减小C.先增后减D.不变

4.下列哪种属于抛光后常见异常？

A.针孔B.晶圆碎裂C.光刻胶残留D.氧化层生长

5.抛光垫修整的目的是？

A.增加粗糙度B.保持孔隙率C.提高硬度D.减少磨损

6.抛光液中化学试剂主要作用是？

A.机械磨削B.软化待抛光层C.增大压力D.清洗晶圆

7.表面粗糙度Ra值越小，表面？

A.越粗糙B.越光滑C.硬度越高D.厚度越大

8.抛光后晶圆清洗核心目的是？

A.