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中兴通讯模拟电路人才引进备考题库

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项的首字母填入括号内）

1.在室温下，硅N型半导体中，多数载流子是（）。

A.空穴

B.电子

C.正离子

D.负离子

2.晶体二极管正向导通压降主要是由（）产生的。

A.扩散电流

B.漂移电流

C.内部电场

D.PN结势垒

3.BJT工作在放大区时，其发射结和集电结分别是（）。

A.正偏、反偏

B.反偏、正偏

C.正偏、正偏

D.反偏、反偏

4.MOSFET的输出特性曲线中，描述漏源之间呈现低阻态的区域是（）。

A.截止区

B.可变电阻区

C.击穿区

D.饱和区

5.在放大电路中，为了稳定静态工作点，通常采用（）。

A.射极跟随器

B.电压串联负反馈

C.电流并联负反馈

D.电压并联负反馈

6.共射放大电路的输出信号与输入信号相位关系是（）。

A.同相

B.反相

C.不变

D.端口决定

7.差分放大电路的主要优点是（）。

A.增益高