晶体生长技术与应用研究.pdfVIP

索引

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II‑VI族单晶

323

–

348

应用领域

323

需光学特性

648–650，650

旋转电极

求参数

356

–

357

III‑V族单晶

323

–

646，647

轴向偏析问题

9

轴对称理想化

348,

349

–

371

应用领域

323,

356

–

直拉模型

162–164，163，164，165–

357,

357

液相密封法(LEC)生长

352

–

170

轴对称性

130

方位角变化

参见旋转

353,

353

垂直布里奇曼(VB)与垂直梯度辐条

凝固(VGF)技术

355

–

356,

356

蒸汽控

制区(VCZ)法

353

–

356

生产工艺

349

–平衡方程

258

–

262,

262

371

材料特性

349

–

350,

350

另见砷化带隙能量

34,

35

–

36

镓晶体生长、磷化铟晶体生长

吸收系数

硼酸钡(BBO)

455,

457,

457

271

–

272

加速坩埚旋转技术(ACRT)

基准测试问题

158

–

162,

159,