CN119332206A 一种磁控溅射制备高致密度、低电阻率氮化钛薄膜的方法 (南京大学).pdfVIP

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  • 2026-10-31 发布于重庆
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CN119332206A 一种磁控溅射制备高致密度、低电阻率氮化钛薄膜的方法 (南京大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119332206A

(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411437144.3

(22)申请日2024.10.15

(71)申请人南京大学

地址215129

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