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- 2026-10-31 发布于北京
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APM1404S
N沟道增强型MOSFET
特性引脚说明
•20V/1.2A,RDS(ON)=90m(典型值)
@
VGS=4.5V;RDS(ON)=120m(典型值)D
@
VGS=2.5V;密度单元设计;可
靠耐用的SC‑70封装
•
•
GS
•
SC‑70封装顶视图
D
应用领域
G
•笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的
电源管理。
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