摘要
太赫兹波段GaN-HEMT的谐波特性研究
摘要
太赫兹波由于具有特殊的物理性质,在各领域中包括太赫兹通信、航空航天、
生物医学、安全反恐、雷达和环境监测等有着广泛的应用前景。目前太赫兹技术的
研究和发展主要受到太赫兹辐射源器件的制约,高效稳定且实用的太赫兹辐射源
器件的研究成为国际学术与产业界的战略焦点。GaN作为III-V族化合物半导体材
料,由于其特殊的能带结构,在特定电场作用下会因为
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