半导体硅材料基础知识.2.pptVIP

半导体硅材料的主要性能参数:（2)晶格结构我们对一些主要的晶体进行研究后发现，其中的晶胞多不相同，常见的晶胞有：简单立方结构、体心立方结构、面心立方机构、金刚石结构（如：Si、Ge等)，闪锌矿结构（如GaAs、Gap、Iusb等)，一般元素半导体多为金刚石结构，III—V族化合物半导体多为闪锌矿结构。金刚石结构是两个面心立方结构的晶胞在对角线上滑移1/4距离后形成，而闪锌矿结构是在金刚石结构中把相邻两个Si原子分别换作Ga和As而形成。半导体硅材料的主要性能参数:（3)晶面和晶向：晶体中那些位于同一平面内的原子形成的平面称为晶面。晶面的法线方向称为晶向。单晶常用的晶向有（100)、（111)和（110)，晶体在不同的方向上具有不同的性质，这就是晶体的多向异性。半导体硅材料的主要性能参数:（4)晶体中的缺陷：当晶体中的原子周期性重复排列遭到破坏或出现不规则的地方就形成了缺陷，硅单晶中常见的缺陷有：点缺陷、线缺陷、面缺陷、孪晶、旋涡、杂质条纹、堆垛层错、氧化层错、滑移线等等。3.电阻率：电阻率是半导体材料的一个极其重要的参数，前面我们已经提到电阻率是区分导体、绝缘体和半导体的关键因素。不同的器件要求不同的电阻率，一般来说：制作高能粒子探测器，要求几千乃至上万