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霍尔元件通用技术条件

GeneralspecificationsforHallelements

（送审稿）

1.前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件由全国敏感元件与传感器标准化技术委员会（SAC/TC368）提出并归口。

本文件起草单位：（略）。

本文件主要起草人：（略）。

本文件为首次发布。

2.霍尔元件通用技术条件

2.1范围

本文件规定了霍尔元件的术语和定义、分类与命名、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于以砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）、砷化镓（GaAs）等半导体材料为基体，利用霍尔效应将磁信号转换为电信号的分立霍尔元件（以下简称元件）。基于霍尔原理的集成电路、霍尔电流传感器与霍尔开关器件可参照执行。

2.2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1环境试验第2部分：试验方法试验A：低温

GB/T2423.2环境试验第2部分：试验方法试验B：高温

GB/T2423.3环境试验第2部分：试验方法