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研究报告

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窄带隙硫化物半导体光吸收机理探究

一、窄带隙硫化物半导体光吸收机理概述

1.窄带隙硫化物半导体光吸收的基本原理

窄带隙硫化物半导体在光吸收领域具有独特的优势，其基本原理主要基于半导体材料能带结构的特性。在窄带隙硫化物半导体中，价带和导带之间的能量差较小，这使得它们在可见光范围内具有较高的光吸收系数。这种特性使得窄带隙硫化物半导体在光电子领域具有广泛的应用前景。在光照射下，半导体材料中的电子会被激发到导带，形成电子-空穴对。这些电子-空穴对在复合过程中会释放出能量，以光子的形式表现出来，从而实现光吸收。窄带隙硫化物半导体的光吸收机理主要包括直接带隙和