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N沟道增强型场效应晶体管技术手册.pdfVIP

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  • 2026-11-04 发布于北京
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N沟道增强型场效应晶体管技术手册.pdf

    1992年7月

    BS270/NDS7002A

    N沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N沟道增强型场效应晶体管Y采用高效度单元设计，性能接近

    2

    采用National第三代单元密度DMOS技术（300万/in）制造

    这些产品专为Y电压控制小信号开关应用设计

    旨在最小化导通电阻，坚固Y耐用的

    可靠性能和快速开关特性。它们适用于Y高饱和电流

    能以最小功耗满足大多数需Y低导通电阻

    求400mA直流电流的应用，并可高达

    2A的脉冲电流。该产品特别适用电压、低

    电流应用场景，例如小型伺服电机控制、

    功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应

    tions。

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