GaAs纳米线光电探测器的制备及去除表面氧化后的性能分析.pdfVIP

设计研发|DESIGNDEVELOPMENT

GaAs纳米线光电探测器的制备及去除表面

氧化后的性能分析

李先帅林逢源12

1.长春理工大学物理学院，吉林长春130022；2.长春理工大学高功率半导体国家重点实验室，吉林长春130022

摘要：表面氧化是指在材料表面形成的氧化物薄层，会导致光电器件的性能下降。分析了氯化氢(HCl)溶液对单GaAs纳米线

光电探测器的去除表面氧化的作用。采用微纳加工制备出单GaAs纳米线光电探测器，通过HCl溶液对其进行浸泡处理10min，

评估单个GaAs纳米线光电探测器的性能差异。去除表面氧化后，单GaAs纳米线光电探测器器件的光电流提升到了1.82×10-9A，

120.5-1

比探测率提升到了3.56×10cm·Hz·W。HCl溶液对单GaAs纳米线所制备成的光电探测器的性能有着明显的提升。

关键词：表面氧化；氯化氢溶液；GaAs纳米线；光电探测器文献标识码：A中图分类号：TN30