Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷的测试-激光扫描法.docxVIP

ICS77.040

CCSH17

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

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Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷的测试-激光扫描法

TestmethodofsurfacedefectofIII.Groupnitridessemiconductorwafer—laserscanningmethod

XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

GB/

GB/TXXXXX—XXXX

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前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化

技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：江苏第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、西安电子科技大学、苏州晶湛半导体有限公司、高视科技（苏州）股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、上海澈芯科技有限公司。

本文件主要起草人：徐科、李朝军、李梦亚、王鲁华、薛军帅、程凯、邹伟金、刘强、彭博方、刘宗亮、黄锦标、尤宇财