CN118919587A 基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法 (西安电子科技大学杭州研究院).pdfVIP

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  • 2026-11-03 发布于重庆
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CN118919587A 基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法 (西安电子科技大学杭州研究院).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118919587A

(43)申请公布日2024.11.08

(21)申请号202411420332.5

(22)申请日2024.10.12

(71)申请人西安电子科技大学杭州研究院

地址311231浙江省杭州市萧山区萧山经

济技术开发区钱农东路8号

申请人西安电子科技大学

(72)发明人李晓茜方媛吴志帆方慈浙

韩根全

(74)专利代理机构杭州汇和信专利代理有限公

司33475

专利代理师周竑

(51)Int.Cl.

H01L31/0352(2006.01)

H01L31/109(2006.01)

H01L31/18

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