2026年电子工程半导体器件试题及答案.docx

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2026年电子工程半导体器件试题及答案

一、选择题(每题2分,共30分)

1.关于半导体材料的禁带宽度的描述,下列说法正确的是:

A.禁带宽度是指价带顶到导带底之间的能量差

B.禁带宽度越大,半导体的导电性越好

C.禁带宽度为零的材料是半导体

D.硅的禁带宽度小于锗的禁带宽度

2.下列哪种半导体器件主要利用PN结的单向导电性:

A.双极结型晶体管(BJT)

B.场效应晶体管(FET)

C.二极管

D.晶闸管

3.在MOSFET中,栅极与沟道之间形成的结构是:

A.PN结

B.肖特基结

C.金属-氧化物

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