IEC 63068-3：2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分用光致发光法检测缺陷的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件·功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part3:TestMethodforDefectsUsingPhotoluminescence

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高临界击穿场强、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异特性，已成为功率电子器件领域最具发展前景的材料之一。然而，SiC同质外延片中各类缺陷（如基面位错、堆垛层错、贯穿刃位错等）严重影响功率器件的性能和可靠性，实现缺陷的无损、快速、准确识别是产业亟需解决的关键技术问题。IEC63068-3:2020由国际电工委员会于2020年7月正式发布，规定了利用光致发光法对SiC同质外延片中缺陷进行无损检测的试验方法，涵盖检测原理、仪器设备要求、测试程序、缺陷判定准则及结果报告等内容。本报告系统梳理了该标准的立项背景、编制过程、技术内容框架及实施意义，分析了光致发光法在SiC外延片缺陷检测