MIS结构中的隧道过程.pptVIP

精选课件精选课件*MIS结构中的隧道过程精选课件*隧道效应是很普遍的围观现象，凡是有界面势垒的地方都有可能发生载流子的隧道运动。常见的界面隧道效应有：1同质p+-n+结（隧道PN结)、2SB结（金属/半导体接触肖特基结)、3MIS结等。此外，载流子穿越多晶晶界的输运、通过异质结界面的输运也需要考虑隧道效应。精选课件*6.1.1势垒贯穿现象量子力学:经典观点:粒子能量E＞eV0时，完全越过势垒粒子能量E＜eV0时，完全被反射粒子能量E＞eV0时,粒子也有一定几率被反射粒子能量E＜eV0时,粒子也有一定率越过势垒0＜x＜a薛定谔方程得到通解形式为其中势垒贯穿系数精选课件*是粒子在x＜0和x＞a区域的波矢，ik3=ik2.当ak3足够大时，上式简化为:对于一般势垒,可用用WKB近似求得,用积分表达精选课件*6.1.2半导体中隧道过程P-N结,SB结,MIS结从图中可以总结半导体隧穿的特点:1.粒子隧穿经过的区域能带结构不同，因此有效质量不同2.隧道过程是态的跃迁过程，因此，隧道过程的起点要有被电子占据的状态，终点有能量相同的空态，隧道过程中动量守恒。从半导体到金属或者从金属到半导体的隧穿过程,由于金属费米球比