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考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项字母填入括号内）

1.在半导体器件中，P-N结反向偏置时，其主要特性是（）。

A.导通电流大

B.截止电流极小

C.击穿电压降低

D.结电容增大

2.MOSFET晶体管的开启电压（Vth）是指（）。

A.栅源电压使漏源电流开始显著增加时的电压值

B.栅源间能形成稳定反型层的最小电压

C.漏源间能承受的最大电压

D.栅极与源极之间的最大电压差

3.在组合逻辑电路中，以下哪一项描述了译码器的功能？（）

A.将多位二进制代码转换成特定的控制信号

B.对输入信号进行加法运算

C.根据输入信号的状态存储信息

D.对输入信号进行逻辑乘运算

4.一个2输入的NOR门，其输出为高电平的条件是（）。

A.两个输入都为高电平

B.两个输入都为低电平

C.一个输入为高电平，另一个输入为低电平

D.任意一个输入为低电平

5.时序逻辑电路与组合逻辑电路的根本区别在于（）。

A.使用的门电路类型不同

B.具有记忆功能，能够存储信息