大疆模拟电路实习笔试题目(含答案).docxVIP

  • 1
  • 0
  • 约8.72千字
  • 约 12页
  • 2026-11-03 发布于河北
  • 举报

大疆模拟电路实习笔试题目(含答案).docx

大疆模拟电路实习笔试题目(含答案)

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

一、选择题(每题3分,共30分)

1.在理想情况下,硅二极管正向导通压降约为多少?

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

2.BJT工作在放大区时,其发射结和集电结的偏置状态通常是?

A.发射结反偏,集电结反偏

B.发射结正偏,集电结正偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结正偏

3.对于N沟道增强型MOSFET,使其从关断状态转变为导通状态,必须满足的条件是?

A.栅源电压VGS大于0,且大于开启电压Vth

B.栅源电压VGS小于0,且小于开启电压Vth

C.栅源电压VGS大于0,且小于开启电压Vth

D.栅源电压VGS小于0,且大于开启电压Vth

4.在共射放大电路中,若输入信号不变,仅将三极管的静态发射极电流I_E增大,则该电路的电压增益(Av)将如何变化?

A.增大

B.减小

C.不变

D.可能增大也可能减小

5.下列哪种电路主要用于将交流信号从低频段滤除?

A.低通滤波器

B.高通滤波器

C.带通滤波器

D.

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档