CN119018903A 一种射频电场辅助制备疏水气相纳米二氧化硅的工艺 （杭州应星新材料有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119018903A

(43)申请公布日2024.11.26

(21)申请号202411405735.2

(22)申请日2024.10.10

(71)申请人杭州应星新材料有限公司

地址310000浙江省杭州市钱塘新区下沙

街道呈瑞街265号2号楼2层

(72)发明人周旭升周益丁高锋张秋娅

陈庆渺隋晓锋刘学超

(51)Int.Cl.

C01B33/18(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种射频电场辅助制备疏水气相纳米二氧

化硅的工艺

(57)摘要

本发明涉及改性二氧化硅技术领