原创力文档T/BYXT193-2026《稀土光刻胶》团体标准编制说明
一、编制背景与目的
光刻胶是半导体光刻核心关键材料，EUV、193nm浸没式光刻对
光刻胶抗刻蚀、感光度、线边缘粗糙度LER提出极高要求。稀土掺杂
光刻胶RE-PR利用稀土f电子跃迁、高配位特性，提升光酸产生效率、
抗刻蚀能力与界面粘附性，覆盖KrF、ArF浸没、EUV光刻波段，分
为化学增幅CAR、分子玻璃MG、无机-有机杂化Hybrid体系。目前稀
土光刻胶属于前沿半导体新材料，国内尚无专门标准，感光性能、稀
土掺杂指标、金属杂质、光刻图形性能缺少统一规范，不利于研发、
中试与量
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