CN118969835A 一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 (南京国盛电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-11-03 发布于重庆
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CN118969835A 一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 (南京国盛电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118969835A

(43)申请公布日2024.11.15

(21)申请号202411426119.5

(22)申请日2024.10.14

(71)申请人南京国盛电子有限

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