高性能沟道功率MOSFET器件特性概述.pdfVIP

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FQH44N10_F133

N沟道QFET®

MOSFET

100

V,

48

A,

39

mΩ

产品描述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®独有的平面条带和DMOS技术制造。该

先进MOSFET技术专为降低导通电阻、卓越开关性能及高雪崩能量承受能力而优化。

该器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制及可变开关电源应用。

特性

•48A,

100

V,

导通电阻

=39mΩ

(最大值)

@

VGS

=10V,

ID

=24A

•低栅极电荷

(典型值

48

nC)

•低反向传输电容

(典型值

85

pF)

•100%

雪崩测试通过

•175C

最高结温额定值

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FQH44N10_F133

N-ChannelQFET®MOSFET

100V,48A,39m

Description

ThisN-Channe