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超临界二氧化碳清洗在DRAM沟槽电容器深孔干燥中的工艺推广与设备壁垒

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据、对比与分类等信息。

本报告说明

随着DRAM制程工艺向1anm及以下节点演进，沟槽电容器的深宽比已突破40:1并向60:1逼近。传统的异丙醇（IPA）干燥工艺在处理此类极高深宽比结构时，因液体表面张力无法有效释放，极易导致微结构塌陷，良率损失显著。本报告聚焦超临界二氧化碳（SCCO2）干燥技术在此场景下的工艺推广与设备量产化壁垒。

调研发现，SCCo2凭借零表面张力与极佳的扩散性