GB-T+48164.2-2026半导体器件+碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC+MOSFEPPT课件.pptxVIP

GB-T48164.2-2026半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法

目录

CONTENTS

02.

04.

05.

01.

03.

06.

标准概述与范围

试验程序与步骤

试验基本原理

参数测定与判定

试验设备与条件

试验报告规范

01

标准概述与范围

标准适用范围界定

适用对象

本标准专门针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的可靠性试验，明确了器件类型及其在半导体器件分类中的定位。

聚焦于体二极管工作引起的双极退化现象，规定了在此特定工作条件下评估器件可靠性的试验方法与流程。

适用于半导体器件的研发、生产、检验及使用环节，为相关单位提供统一的双极退化可靠性评估依据。

退化机制

行业应用

核心术语与定义

可靠性试验

在规定条件下，对器件施加应力以评估其寿命和稳定性的测试方法，本标准特指针对双极退化机制的考核试验。

体二极管

SiCMOSFET固有的寄生二极管，在特定工作模式下作为电流通道导通，其工作状态是引发双极退化的直接原因。

双极退化

指SiCMOSFET在体二极管导通工作时，由于双极电流引起的基面位错扩展，导致器件导通电阻增加和性能退化的现象。

规范性引用文件

基础规范

引用半导体器件相关的基础国家标准，确保本试验方法在术语、符号和测试条件上与现行