面向2026年高密度3D堆叠封装的晶圆级代工技术演进与商业模式调研.docxVIP

PAGE2

面向2026年高密度3D堆叠封装的晶圆级代工技术演进与商业模式调研

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦2024—2026年晶圆级3D堆叠封装代工赛道的技术演进与商业模式变迁。调研覆盖逻辑芯片、存储芯片、HPC与AI加速器四大下游需求场景，地理范围以中国大陆、中国台湾、韩国、日本、美国五地代工厂及IDM为主，时间跨度为2019—2026年。

核心发现可归纳为三条主线：第一，技术层面，TSV（硅通孔）、HybridBonding（混合键合）已进入量产爬